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1. 负责VR LTPO新技术项目开发，完成技术可行性评估、工艺路线制定及产品不良改善等；
2. 负责TFT相关疑难及突发异常攻克、稳定性提升、特性优化及评价系统的建立；
3. 负责LTPS/Oxide小尺寸or窄沟道器件的工艺开发及理论研究工作；
4. 对团队成员相关TFT器件方向专业问题进行澄清并提供改善方向，加强团队共同认知；
5. TFT器件专业人才培养及指导；
教育程度:硕士
工作经历:
8年以上
a）具备LTPO器件开发经验，包括但不限于Oxide小尺寸or窄沟道器件开发，DIBL效应和SCE效应研究，高迁氧化物及光稳材料开发等；
b）具备LTPO器件特性改善经验，包括但不限于Vth均一性，Mobility及Ion提升，△L改善等；
c）掌握LTPO器件稳定性改善方法，具备TFT 器件击穿能力（High Voltage Breakdown Characteristic），偏压稳定性（VoltageStress stability: PBTS/NBTS/HJS/HDCS），光照稳定性（Lightstability: NBTIS/PBTIS），温度稳定性（Temperature sensitivity）等相关改善经验；
d）能够搭建TFT特性优化及评价系统。理解LTPO器件结构及工艺需求，熟悉薄膜评价手段及方法，掌握膜层缺陷改善及界面改善方法；熟悉Etch工艺，掌握Etch Profile or Taper及Bias改善方法；掌握离子注入以及退火等相关工艺极其对特性的影响，并能够整合以上工艺进行器件特性改善。
e）掌握TCAD 软件，能够通过TCAD 建模来进行标准工艺下材料水平的器件结构，辅助进行工艺调试优化；